Chemical vapor deposition and physical characterization of gallium, and carbon-related structures on Si (001) and GaP/Si (001) templates for the growth of graphene layers

Chemical vapor deposition and physical characterization of gallium, and carbon-related structures on Si (001) and GaP/Si (001) templates for the growth of graphene layers

This study aimed at the deposition of graphene on Si(001) via CVD by depositing Ga on Si, which was then treated with C. Ga has been shown to have a catalytic effect on the growth of graphene. This study focussed on examining the growth surface and the deposition of Ga on this. Si(001) was primarily...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Werner, Katharina
Այլ հեղինակներ: Stolz, Wolfgang (Dr. habil.) (Ատենախոսության խորհրդական)
Ձևաչափ: Dissertation
Լեզու:անգլերեն
Հրապարակվել է: Philipps-Universität Marburg 2015
Խորագրեր:
Silizium
Semiconducting silicon
Metallic gallium
Chemische Gasphasenabscheidung
Physik
Graphen
Gallium
Graphene
Chemical vapour deposition
Physics
Առցանց հասանելիություն:PDF ամբողջական տեքստ
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

PDF ամբողջական տեքստ

Պահումների մանրամասները
Դասիչ: urn:nbn:de:hebis:04-z2015-04724
Հրապարակման ամսաթիվ: 2015-11-30
Datum der Annahme: 2015-09-30
Downloads: 76 (2024), 99 (2023), 55 (2022), 58 (2021), 50 (2020), 38 (2019), 35 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Հասանելի URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2015/0472
https://doi.org/10.17192/z2015.0472

Նմանատիպ նյութեր