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Photoconductive THz emitters and detectors on the basis of InGaAs/InP for terahertz time domain spectroscopy
The topic of the present thesis is the development and investigation of photoconductive semiconductor structures for the opto-electronic generation and detection of terahertz (THz) radiation by the use of femtosecond fiber lasers at emission wavelengths of 1550 nm and 1030 nm. Aside from investigati...
| 1. Verfasser: | |
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| Beteiligte: | |
| Format: | Dissertation |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Philipps-Universität Marburg
2015
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | PDF-Volltext |
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Das Thema der vorliegenden Dissertation umfasst die Herstellung und Untersuchung von photoleitenden Halbleiterstrukturen zur opto-elektronischen Erzeugung und Detektion von kohärenter Terahertz (THz) Strahlung unter Verwendung von gepulsten Femtosekunden-Faserlasern mit Zentralwellenlängen von 1550 nm und 1030 nm. Neben der Untersuchung von grundlegenden physikalischen Fragestellungen ergibt sich die Motivation zur Entwicklung derartiger Halbleiterstrukturen aus dem steigenden Bedarf nach kompakten, kosteneffizienten und schnellen THz-Messsystemen. Ziel der durchgeführten Arbeit ist es, durch verbesserte Komponenten und Systeme eine Ausweitung des Anwendungsbereichs der THz-Messtechnik, über wissenschaftliche Anwendung hinaus, auf die industrielle Prozesskontrolle zu ermöglichen.