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Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
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| Format: | Dissertation |
| Język: | niemiecki |
| Wydane: |
Philipps-Universität Marburg
2013
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| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | PDF pełnotekstowe |
| Etykiety: |
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