Publikationsserver
Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | |
| Формат: | Dissertation |
| Язык: | German |
| Опубликовано: |
Philipps-Universität Marburg
2013
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | PDF-полный текст |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Ваш комментарий будет первым!