Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...

Deskribapen osoa

Gorde:
Xehetasun bibliografikoak
Egile nagusia: Zimprich, Martin
Beste egile batzuk: Stolz, W. (Dr.) (Tesi aholkularia)
Formatua: Dissertation
Hizkuntza:alemana
Argitaratua: Philipps-Universität Marburg 2013
Gaiak:
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Ga(NAsP)
Semiconductor lasers; laser diodes
OEIC
Röntgendiffraktometrie
(BGa)P
silicon photonics
(BGa)(AsP)
Photolumineszenz
Laser ,
MOCVD-Verfahren
integrierter Halbleiterlaser
Tempern
Physik
Photolumineszenzspektroskopie
Physics
Sarrera elektronikoa:PDF testu osoa
Etiketak: Etiketa erantsi
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