Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Zimprich, Martin
Tác giả khác: Stolz, W. (Dr.) (Cố vấn luận án)
Định dạng: Dissertation
Ngôn ngữ:Tiếng Đức
Được phát hành: Philipps-Universität Marburg 2013
Những chủ đề:
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Ga(NAsP)
Semiconductor lasers; laser diodes
OEIC
Röntgendiffraktometrie
(BGa)P
silicon photonics
(BGa)(AsP)
Photolumineszenz
Laser ,
MOCVD-Verfahren
integrierter Halbleiterlaser
Tempern
Physik
Photolumineszenzspektroskopie
Physics
Truy cập trực tuyến:Bài toàn văn PDF
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Internet

Bài toàn văn PDF

Chi tiết quỹ từ
Số hiệu: urn:nbn:de:hebis:04-z2013-07263
Ngày xuất bản: 2014-01-09
Datum der Annahme: 2013-12-02
Downloads: 48 (2024), 116 (2023), 162 (2022), 109 (2021), 58 (2020), 45 (2019), 8 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Địa chỉ truy cập: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2013/0726
https://doi.org/10.17192/z2013.0726

Những quyển sách tương tự