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Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
保存先:
| 第一著者: | |
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| その他の著者: | |
| フォーマット: | Dissertation |
| 言語: | ドイツ語 |
| 出版事項: |
Philipps-Universität Marburg
2013
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| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | PDFフルテキスト |
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インターネット
PDFフルテキスト| 請求記号: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2013-07263 |
|---|---|
| 出版日付: |
2014-01-09 |
| Datum der Annahme: |
2013-12-02 |
| Downloads: |
60 (2024), 116 (2023), 162 (2022), 109 (2021), 58 (2020), 45 (2019), 8 (2018) |
| Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
| アクセスURL: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2013/0726 https://doi.org/10.17192/z2013.0726 |