Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
में बचाया:
मुख्य लेखक: | |
---|---|
अन्य लेखक: | |
स्वरूप: | Dissertation |
भाषा: | जर्मन |
प्रकाशित: |
Philipps-Universität Marburg
2013
|
विषय: | |
ऑनलाइन पहुंच: | पीडीएफ पूर्ण पाठ |
टैग: |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|
इंटरनेट
पीडीएफ पूर्ण पाठबोधानक: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2013-07263 |
---|---|
प्रकाशन तिथि: |
2014-01-09 |
Datum der Annahme: |
2013-12-02 |
Downloads: |
60 (2024), 116 (2023), 162 (2022), 109 (2021), 58 (2020), 45 (2019), 8 (2018) |
Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
यूआरएल में प्रवेश करें: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2013/0726 https://doi.org/10.17192/z2013.0726 |