Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...

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Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
Päätekijä: Zimprich, Martin
Muut tekijät: Stolz, W. (Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Aineistotyyppi: Dissertation
Kieli:saksa
Julkaistu: Philipps-Universität Marburg 2013
Aiheet:
Durchstrahlungselektronenmikroskopie
Ga(NAsP)
Semiconductor lasers; laser diodes
OEIC
Röntgendiffraktometrie
(BGa)P
silicon photonics
(BGa)(AsP)
Photolumineszenz
Laser ,
MOCVD-Verfahren
integrierter Halbleiterlaser
Tempern
Physik
Photolumineszenzspektroskopie
Physics
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Saatavuus:
Hyllypaikka: urn:nbn:de:hebis:04-z2013-07263
Julkaisupäivä: 2014-01-09
Datum der Annahme: 2013-12-02
Downloads: 53 (2024), 116 (2023), 162 (2022), 109 (2021), 58 (2020), 45 (2019), 8 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Linkki aineistoon: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2013/0726
https://doi.org/10.17192/z2013.0726

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