Publikationsserver
Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerung der Effizienz ein Betrieb bei Raumtemperatur ange...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| অন্যান্য লেখক: | |
| বিন্যাস: | Dissertation |
| ভাষা: | জার্মান |
| প্রকাশিত: |
Philipps-Universität Marburg
2013
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
আন্তর্জাল
পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ| ডাক সংখ্যা: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2013-07263 |
|---|---|
| প্রকাশনার তারিখ: |
2014-01-09 |
| Datum der Annahme: |
2013-12-02 |
| Downloads: |
53 (2024), 116 (2023), 162 (2022), 109 (2021), 58 (2020), 45 (2019), 8 (2018) |
| Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
| URL ব্যবহার করুন: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2013/0726 https://doi.org/10.17192/z2013.0726 |