Publikationsserver
Über den Einfluss von isoelektronischen Störstellen auf Bandbiegung und Unordnung in Verbindungshalbleitern
Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch op...
Gespeichert in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 其他作者: | |
| 格式: | Dissertation |
| 语言: | 德语 |
| 出版: |
Philipps-Universität Marburg
2011
|
| 主题: | |
| 在线阅读: | PDF-Volltext |
| 标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|
| 总结: | Der Einfluss von isolektronischen Störstellen auf die Eigenschaften von Verbindungshalbleitern wird anhand zweier Beispiele diskutiert: Zum einen Stickstoff in Ga(As,P) Quantenschichtstrukturen, zum anderen Schwefel bzw. Selen in ZnTe Einkristallen. Die Eigenschaften werden hierbei auf zwei durch optische Spektroskopie erfassbare Aspekte reduziert: Bandbiegung, d.h. der nicht-lineare Trend der Bandlücke des Mischmaterials auf der einen und Unordnung, d.h. insbesondere die Bildung einer stark lokalisierter Zustandsdichte unterhalb der fundamentalen Bandlücke auf der anderen Seite. Neben der rein experimentellen Betrachtung wird auch ein Einblick in die theoretische Simulation der unordnungsbedingten temperaturabhängigen Lumineszenz-Eigenschaften der Halbleiter durch Monte-Carlo-Simulationen gegeben. |
|---|---|
| DOI: | 10.17192/z2012.0126 |