Mikroskopische Analyse optoelektronischer Eigenschaften von Halbleiterverstärkungsmedien für Laseranwendungen

Mikroskopische Analyse optoelektronischer Eigenschaften von Halbleiterverstärkungsmedien für Laseranwendungen

Eine mikroskopische Vielteilchentheorie wird auf verschiedenste Materialsysteme angewendet, die als Verstärkungselement den Grundbaustein von Halbleiterlasersystemen bilden. Das Verständnis der mikroskopischen Prozesse und ihre Modellierung ermöglichen die Analyse und quantitative Prognose optoelekt...

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Auteur principal: Bückers, Christina
Autres auteurs: Koch, Stephan W. (Prof. Dr.) (Directeur de thèse)
Format: Dissertation
Langue:allemand
Publié: Philipps-Universität Marburg 2011
Sujets:
GaAsBi
Efficiency, stability, gain, and other operational parameters
Modulation spectroscopy
Semiconductor laser modelling
Modellierung
Auger-recombination
Theory, models, and numerical simulation
Optischer Gewinn
Modulationsspektroskopie
Halbleiterlaser
AlGaInAsSb, GaNAsP
Lumineszenz
Semiconductor lasers; laser diodes
AlGaInAs
Auger-Rekombination
Quantum well devices (quantum dots, quantum wires, etc.)
Optical gain
III-V semiconductors
Luminescence
Physik
Physics
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