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Elektronische Struktur und Kristallgittereigenschaften von metastabilen III-(N,V)-Halbleitersystemen
In III-V-Halbleitern stellt das Stickstoffatom aufgrund seiner geringen Größe und hohen Elektronegativität eine starke Störung der elektronischen Struktur und der Kristallgittereigenschaften dar. Die vorliegende Arbeit gibt für Ga-V-Halbleiter (V = P, As, Sb) einen Überblick über diese Einflüsse. An...
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| Autor principal: | |
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| Otros Autores: | |
| Formato: | Dissertation |
| Lenguaje: | alemán |
| Publicado: |
Philipps-Universität Marburg
2007
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | Texto Completo PDF |
| Etiquetas: |
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