Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Oberhoff, Stefan

Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Die Zielsetzung dieser Arbeit bestand darin, Strukturbildungsprozesse in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-basierten Materialsystemen aufzuklären, wobei mit Hilfe von hochselektiven Ätzverfahren innere Grenzflächen freigelegt und rasterkraftmikroskopisch analysiert wurden. Aufgrund der metastabilen...

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מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי:	Oberhoff, Stefan
מחברים אחרים:	Stolz, Wolfgang (Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
פורמט:	Dissertation
שפה:	גרמנית
יצא לאור:	Philipps-Universität Marburg 2007
נושאים:	Ga(NAsP) Physik Atomic force microscopy (AFM) Low-dimensional, mesoscopic, and nanoscale systems: structure and nonelectronic properties (for structure of nanoscale materials, see 61.46.+w; for magnetic properties of interfaces, see 75.70.Cn; for superconducting properties, see 74.78.-w; for optical properties, see 78.67.-n; for transport properties, see 73.63.-b) ... ... Growth of low-dimensional structures, see 81.16.-c (GaIn)(NAsSb) (GaIn)(NAs) Microscopy of surfaces, interfaces, and thin films Dilute nitride compound semiconductors Grenzflächenaktiver Stoff Selektives Ätzen III-V semiconductors Verdünnt stickstoffhaltige III/V-Halbleiter Heterostruktur Semiconductor lasers; laser diodes Halbleitergrenzfläche Metastabilität Halbleiter Innere Grenzflächen Interior interfaces Drei-Fünf-Halbleiter Physics
גישה מקוונת:	PDF-Volltext
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