Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Oberhoff, Stefan

Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Die Zielsetzung dieser Arbeit bestand darin, Strukturbildungsprozesse in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-basierten Materialsystemen aufzuklären, wobei mit Hilfe von hochselektiven Ätzverfahren innere Grenzflächen freigelegt und rasterkraftmikroskopisch analysiert wurden. Aufgrund der metastabilen...

全面介绍

Gespeichert in:

书目详细资料
主要作者:	Oberhoff, Stefan
其他作者:	Stolz, Wolfgang (Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
格式:	Dissertation
语言:	德语
出版:	Philipps-Universität Marburg 2007
主题:	Ga(NAsP) Physik Atomic force microscopy (AFM) Low-dimensional, mesoscopic, and nanoscale systems: structure and nonelectronic properties (for structure of nanoscale materials, see 61.46.+w; for magnetic properties of interfaces, see 75.70.Cn; for superconducting properties, see 74.78.-w; for optical properties, see 78.67.-n; for transport properties, see 73.63.-b) ... ... Growth of low-dimensional structures, see 81.16.-c (GaIn)(NAsSb) (GaIn)(NAs) Microscopy of surfaces, interfaces, and thin films Dilute nitride compound semiconductors Grenzflächenaktiver Stoff Selektives Ätzen III-V semiconductors Verdünnt stickstoffhaltige III/V-Halbleiter Heterostruktur Semiconductor lasers; laser diodes Halbleitergrenzfläche Metastabilität Halbleiter Innere Grenzflächen Interior interfaces Drei-Fünf-Halbleiter Physics
在线阅读:	PDF-Volltext
标签:	添加标签没有标签, 成为第一个标记此记录!

Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

相似书籍