Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Oberhoff, Stefan

Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Die Zielsetzung dieser Arbeit bestand darin, Strukturbildungsprozesse in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-basierten Materialsystemen aufzuklären, wobei mit Hilfe von hochselektiven Ätzverfahren innere Grenzflächen freigelegt und rasterkraftmikroskopisch analysiert wurden. Aufgrund der metastabilen...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính:	Oberhoff, Stefan
Tác giả khác:	Stolz, Wolfgang (Dr.) (Cố vấn luận án)
Định dạng:	Dissertation
Ngôn ngữ:	Tiếng Đức
Được phát hành:	Philipps-Universität Marburg 2007
Những chủ đề:	Ga(NAsP) Physik Atomic force microscopy (AFM) Low-dimensional, mesoscopic, and nanoscale systems: structure and nonelectronic properties (for structure of nanoscale materials, see 61.46.+w; for magnetic properties of interfaces, see 75.70.Cn; for superconducting properties, see 74.78.-w; for optical properties, see 78.67.-n; for transport properties, see 73.63.-b) ... ... Growth of low-dimensional structures, see 81.16.-c (GaIn)(NAsSb) (GaIn)(NAs) Microscopy of surfaces, interfaces, and thin films Dilute nitride compound semiconductors Grenzflächenaktiver Stoff Selektives Ätzen III-V semiconductors Verdünnt stickstoffhaltige III/V-Halbleiter Heterostruktur Semiconductor lasers; laser diodes Halbleitergrenzfläche Metastabilität Halbleiter Innere Grenzflächen Interior interfaces Drei-Fünf-Halbleiter Physics
Truy cập trực tuyến:	Bài toàn văn PDF
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Những quyển sách tương tự