Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Morphologie innerer Grenzflächen in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-Materialsystemen

Die Zielsetzung dieser Arbeit bestand darin, Strukturbildungsprozesse in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-basierten Materialsystemen aufzuklären, wobei mit Hilfe von hochselektiven Ätzverfahren innere Grenzflächen freigelegt und rasterkraftmikroskopisch analysiert wurden. Aufgrund der metastabilen...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Oberhoff, Stefan
Այլ հեղինակներ: Stolz, Wolfgang (Dr.) (Ատենախոսության խորհրդական)
Ձևաչափ: Dissertation
Լեզու:գերմաներեն
Հրապարակվել է: Philipps-Universität Marburg 2007
Խորագրեր:
Ga(NAsP)
Physik
Atomic force microscopy (AFM)
Low-dimensional, mesoscopic, and nanoscale systems: structure and nonelectronic properties (for structure of nanoscale materials, see 61.46.+w; for magnetic properties of interfaces, see 75.70.Cn; for superconducting properties, see 74.78.-w; for optical properties, see 78.67.-n; for transport properties, see 73.63.-b) ... ... Growth of low-dimensional structures, see 81.16.-c
(GaIn)(NAsSb)
(GaIn)(NAs)
Microscopy of surfaces, interfaces, and thin films
Dilute nitride compound semiconductors
Grenzflächenaktiver Stoff
Selektives Ätzen
III-V semiconductors
Verdünnt stickstoffhaltige III/V-Halbleiter
Heterostruktur
Semiconductor lasers; laser diodes
Halbleitergrenzfläche
Metastabilität
Halbleiter
Innere Grenzflächen
Interior interfaces
Drei-Fünf-Halbleiter
Physics
Առցանց հասանելիություն:PDF ամբողջական տեքստ
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Նմանատիպ նյութեր