Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

Korte, Lars

Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

In der vorliegenden Arbeit wurde die elektronische Zustandsdichte hydrogenisierter amorpher Silizium (a-Si:H)-Schichten mit Dicken von 300 bis hinab zu ~2 nm untersucht. Die dazu eingesetzte Methode der Nah-UV-Photoelektronenspektroskopie (NUV-PES) liefert eine gemittelte Valenzband-Zustandsdichte d...

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Detaylı Bibliyografya
Yazar:	Korte, Lars
Diğer Yazarlar:	Fuhs, Walter (Prof. Dr.) (Tez danışmanı)
Materyal Türü:	Dissertation
Dil:	Almanca
Baskı/Yayın Bilgisi:	Philipps-Universität Marburg 2006
Konular:	Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping Heterostruktur-Bauelement Amorphous silicon Heterojunction Ph Photoelektronenspektroskopie Crystalline silicon Silicium Charge carriers: generation, recombination, lifetime, trapping, mean free paths Zustandsdichte Physik Amorphes Silicum Surface states, band structure, electron density of states III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and Photoelectron spectroscopy Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie Heterostruktur Density of states Amorphous semiconductors; glasses Band-Offset Physics
Online Erişim:	PDF Tam Metin
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Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

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