Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

In der vorliegenden Arbeit wurde die elektronische Zustandsdichte hydrogenisierter amorpher Silizium (a-Si:H)-Schichten mit Dicken von 300 bis hinab zu ~2 nm untersucht. Die dazu eingesetzte Methode der Nah-UV-Photoelektronenspektroskopie (NUV-PES) liefert eine gemittelte Valenzband-Zustandsdichte d...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Korte, Lars
Kolejni autorzy: Fuhs, Walter (Prof. Dr.) (Promotor doktoranta)
Format: Dissertation
Język:niemiecki
Wydane: Philipps-Universität Marburg 2006
Hasła przedmiotowe:
Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping
Heterostruktur-Bauelement
Amorphous silicon
Heterojunction
Ph
Photoelektronenspektroskopie
Crystalline silicon
Silicium
Charge carriers: generation, recombination, lifetime, trapping, mean free paths
Zustandsdichte
Physik
Amorphes Silicum
Surface states, band structure, electron density of states
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and
Photoelectron spectroscopy
Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie
Heterostruktur
Density of states
Amorphous semiconductors; glasses
Band-Offset
Physics
Dostęp online:PDF pełnotekstowe
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
Napisz pierwszy komentarz!
Najpierw się zaloguj

Podobne zapisy