Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

In der vorliegenden Arbeit wurde die elektronische Zustandsdichte hydrogenisierter amorpher Silizium (a-Si:H)-Schichten mit Dicken von 300 bis hinab zu ~2 nm untersucht. Die dazu eingesetzte Methode der Nah-UV-Photoelektronenspektroskopie (NUV-PES) liefert eine gemittelte Valenzband-Zustandsdichte d...

पूर्ण विवरण

में बचाया:
ग्रंथसूची विवरण
मुख्य लेखक: Korte, Lars
अन्य लेखक: Fuhs, Walter (Prof. Dr.) (शोध सलाहकार)
स्वरूप: Dissertation
भाषा:जर्मन
प्रकाशित: Philipps-Universität Marburg 2006
विषय:
Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping
Heterostruktur-Bauelement
Amorphous silicon
Heterojunction
Ph
Photoelektronenspektroskopie
Crystalline silicon
Silicium
Charge carriers: generation, recombination, lifetime, trapping, mean free paths
Zustandsdichte
Physik
Amorphes Silicum
Surface states, band structure, electron density of states
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and
Photoelectron spectroscopy
Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie
Heterostruktur
Density of states
Amorphous semiconductors; glasses
Band-Offset
Physics
ऑनलाइन पहुंच:पीडीएफ पूर्ण पाठ
टैग: टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
टिप्पणी देने वाले पहले व्यक्ति बनें!
आपको पहले लॉग इन होना चाहिए

समान संसाधन