Publikationsserver
Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts
In der vorliegenden Arbeit wurde die elektronische Zustandsdichte hydrogenisierter amorpher Silizium (a-Si:H)-Schichten mit Dicken von 300 bis hinab zu ~2 nm untersucht. Die dazu eingesetzte Methode der Nah-UV-Photoelektronenspektroskopie (NUV-PES) liefert eine gemittelte Valenzband-Zustandsdichte d...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | |
|---|---|
| অন্যান্য লেখক: | |
| বিন্যাস: | Dissertation |
| ভাষা: | জার্মান |
| প্রকাশিত: |
Philipps-Universität Marburg
2006
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
প্রথমজন হিসাবে মন্তব্য করুন!