Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

In der vorliegenden Arbeit wurde die elektronische Zustandsdichte hydrogenisierter amorpher Silizium (a-Si:H)-Schichten mit Dicken von 300 bis hinab zu ~2 nm untersucht. Die dazu eingesetzte Methode der Nah-UV-Photoelektronenspektroskopie (NUV-PES) liefert eine gemittelte Valenzband-Zustandsdichte d...

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Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Korte, Lars
Beteiligte: Fuhs, Walter (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2006
Schlagworte:
Density of states
Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping
Heterostruktur-Bauelement
Photoelectron spectroscopy
Ph
Photoelektronenspektroskopie
Silicium
Charge carriers: generation, recombination, lifetime, trapping, mean free paths
Zustandsdichte
Physik
Band-Offset
Surface states, band structure, electron density of states
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and
Crystalline silicon
Amorphes Silicum
Heterojunction
Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie
Heterostruktur
Amorphous silicon
Amorphous semiconductors; glasses
Physics
Online Zugang:PDF-Volltext
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