Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts

In der vorliegenden Arbeit wurde die elektronische Zustandsdichte hydrogenisierter amorpher Silizium (a-Si:H)-Schichten mit Dicken von 300 bis hinab zu ~2 nm untersucht. Die dazu eingesetzte Methode der Nah-UV-Photoelektronenspektroskopie (NUV-PES) liefert eine gemittelte Valenzband-Zustandsdichte d...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Korte, Lars
Beteiligte: Fuhs, Walter (Prof. Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Sprache:Deutsch
Veröffentlicht: Philipps-Universität Marburg 2006
Schlagworte:
Density of states
Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping
Heterostruktur-Bauelement
Photoelectron spectroscopy
Ph
Photoelektronenspektroskopie
Silicium
Charge carriers: generation, recombination, lifetime, trapping, mean free paths
Zustandsdichte
Physik
Band-Offset
Surface states, band structure, electron density of states
III-V semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and
Crystalline silicon
Amorphes Silicum
Heterojunction
Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie
Heterostruktur
Amorphous silicon
Amorphous semiconductors; glasses
Physics
Online Zugang:PDF-Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Online

PDF-Volltext

Bestandesangaben von
Signatur: urn:nbn:de:hebis:04-z2006-05184
Publikationsdatum: 2006-10-20
Quelle: Berichte des Hahn-Meitner-Instituts HMI B-611 (ISSN 0936-0891)
Datum der Annahme: 2006-06-23
Downloads: 31 (2024), 54 (2023), 74 (2022), 65 (2021), 149 (2020), 137 (2019), 44 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0518
https://doi.org/10.17192/z2006.0518

Ähnliche Einträge