Defekte in epitaktisch gewachsenen Silizium-Schichten (Niedertemperaturepitaxie)

Defekte in epitaktisch gewachsenen Silizium-Schichten (Niedertemperaturepitaxie)

Gegenstand der Arbeit ist die Analyse von Defekten in Silizium Schichten, die mit Elektronenzyklotronresonanz unterstützter Gasphasenabscheidung ("electron cyclotron resonance chemical vapour deposition", ECRCVD) bei Substrattemperaturen unterhalb 600°C deponiert wurden. Untersucht wurde e...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Petter, Kai
מחברים אחרים: Fuhs, Walther (Prof.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
פורמט: Dissertation
שפה:גרמנית
יצא לאור: Philipps-Universität Marburg 2006
נושאים:
Physik
Halbleiter / Gitterbaufehler
Defects
Epitaxy
Epitaxieschicht
Silicium
Silicon
Physics
גישה מקוונת:PDF-Volltext
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

אינטרנט

PDF-Volltext

פרטי מלאי ספרים מ
סימן המיקום: urn:nbn:de:hebis:04-z2006-00957
Publikationsdatum: 2006-04-11
Datum der Annahme: 2006-01-30
Downloads: 26 (2024), 53 (2023), 57 (2022), 17 (2021), 15 (2020), 19 (2019), 10 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0095
https://doi.org/10.17192/z2006.0095

פריטים דומים