Defekte in epitaktisch gewachsenen Silizium-Schichten (Niedertemperaturepitaxie)
Gegenstand der Arbeit ist die Analyse von Defekten in Silizium Schichten, die mit Elektronenzyklotronresonanz unterstützter Gasphasenabscheidung ("electron cyclotron resonance chemical vapour deposition", ECRCVD) bei Substrattemperaturen unterhalb 600°C deponiert wurden. Untersucht wurde e...
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Autor Principal: | |
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Outros autores: | |
Formato: | Dissertation |
Idioma: | alemán |
Publicado: |
Philipps-Universität Marburg
2006
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Schlagworte: | |
Acceso en liña: | Texto completo PDF |
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Internet
Texto completo PDFNúmero de Clasificación: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2006-00957 |
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Data de Publicación: |
2006-04-11 |
Datum der Annahme: |
2006-01-30 |
Downloads: |
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Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
URL de acceso: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0095 https://doi.org/10.17192/z2006.0095 |