Defekte in epitaktisch gewachsenen Silizium-Schichten (Niedertemperaturepitaxie)

Gegenstand der Arbeit ist die Analyse von Defekten in Silizium Schichten, die mit Elektronenzyklotronresonanz unterstützter Gasphasenabscheidung ("electron cyclotron resonance chemical vapour deposition", ECRCVD) bei Substrattemperaturen unterhalb 600°C deponiert wurden. Untersucht wurde e...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Petter, Kai
مؤلفون آخرون: Fuhs, Walther (Prof.) (مرشد الأطروحة)
التنسيق: Dissertation
اللغة:الألمانية
منشور في: Philipps-Universität Marburg 2006
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:PDF النص الكامل
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الانترنت

PDF النص الكامل

تفاصيل المقتنيات من
رقم الاستدعاء: urn:nbn:de:hebis:04-z2006-00957
تاريخ النشر: 2006-04-11
Datum der Annahme: 2006-01-30
Downloads: 26 (2024), 53 (2023), 57 (2022), 17 (2021), 15 (2020), 19 (2019), 10 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL الوصول: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2006/0095
https://doi.org/10.17192/z2006.0095