Herstellung von (GaIn)(NAsP)/GaP Mischkristallsystemen und deren Charakterisierung zur Realisierung eines direkten Halbleiters

Herstellung von (GaIn)(NAsP)/GaP Mischkristallsystemen und deren Charakterisierung zur Realisierung eines direkten Halbleiters

Die Realisierung von optoelektronisch integrierten Schaltungen auf Silizium-Substrat würde ein komplett neues Feld der Fabrikationstechnologie eröffnen. Motiviert durch die vielseitigen Anwendungsmöglichkeiten wurde in dieser Arbeit das Ziel verfolgt, ein Materialsystem mittels MOVPE (metal organi...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Kunert, Bernardette
অন্যান্য লেখক: Stolz, Wolfgang (Dr.) (Thesis advisor)
বিন্যাস: Dissertation
ভাষা:German
প্রকাশিত: Philipps-Universität Marburg 2005
বিষয়গুলি:
Verdünnt stickstoffhaltige III-V Halbleiter
Electron states and collective excitations in multilayers, quantum wells, mesoscopic, and nanoscale systems (for electron states in nanoscale materials, see 73.22.-f)
Optoelectronic integrated circuits (OEIC)
Halbleiterschicht
Halbleiter
III-V compound semiconductor
Bandstrukturberechnung
Diluted nitride
III-V semiconductors
(GaIn)(NAsP)
Heterostruktur
Materialentwicklung
Halbleiter / Mischkristall
Drei-Fünf-Halbleiter
Optical properties of bulk materials and thin films (for optical properties related to materials treatment, see 81.40.Tv; for optical materials, see 42.70-a; for optical properties of superconductors, see 74.25.Gs; for optical properties of rocks and minerals, see 91.60.Mk)
Optoelektronisch integrierte Schaltungen (OEIC)
Physik
Epitaxie
Physics
অনলাইন ব্যবহার করুন:পিডিএফ এ সম্পূর্ন পাঠ
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
No references were found for this record.

অনুরূপ উপাদানগুলি