Herstellung von (GaIn)(NAsP)/GaP Mischkristallsystemen und deren Charakterisierung zur Realisierung eines direkten Halbleiters

Kunert, Bernardette

Herstellung von (GaIn)(NAsP)/GaP Mischkristallsystemen und deren Charakterisierung zur Realisierung eines direkten Halbleiters

Die Realisierung von optoelektronisch integrierten Schaltungen auf Silizium-Substrat würde ein komplett neues Feld der Fabrikationstechnologie eröffnen. Motiviert durch die vielseitigen Anwendungsmöglichkeiten wurde in dieser Arbeit das Ziel verfolgt, ein Materialsystem mittels MOVPE (metal organi...

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書誌詳細
第一著者:	Kunert, Bernardette
その他の著者:	Stolz, Wolfgang (Dr.) (論文の指導者)
フォーマット:	Dissertation
言語:	ドイツ語
出版事項:	Philipps-Universität Marburg 2005
主題:	Verdünnt stickstoffhaltige III-V Halbleiter Electron states and collective excitations in multilayers, quantum wells, mesoscopic, and nanoscale systems (for electron states in nanoscale materials, see 73.22.-f) Optoelectronic integrated circuits (OEIC) Halbleiterschicht Halbleiter III-V compound semiconductor Bandstrukturberechnung Diluted nitride III-V semiconductors (GaIn)(NAsP) Heterostruktur Materialentwicklung Halbleiter / Mischkristall Drei-Fünf-Halbleiter Optical properties of bulk materials and thin films (for optical properties related to materials treatment, see 81.40.Tv; for optical materials, see 42.70-a; for optical properties of superconductors, see 74.25.Gs; for optical properties of rocks and minerals, see 91.60.Mk) Optoelektronisch integrierte Schaltungen (OEIC) Physik Epitaxie Physics
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