Herstellung von (GaIn)(NAsP)/GaP Mischkristallsystemen und deren Charakterisierung zur Realisierung eines direkten Halbleiters

Herstellung von (GaIn)(NAsP)/GaP Mischkristallsystemen und deren Charakterisierung zur Realisierung eines direkten Halbleiters

Die Realisierung von optoelektronisch integrierten Schaltungen auf Silizium-Substrat würde ein komplett neues Feld der Fabrikationstechnologie eröffnen. Motiviert durch die vielseitigen Anwendungsmöglichkeiten wurde in dieser Arbeit das Ziel verfolgt, ein Materialsystem mittels MOVPE (metal organi...

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Auteur principal: Kunert, Bernardette
Autres auteurs: Stolz, Wolfgang (Dr.) (Directeur de thèse)
Format: Dissertation
Langue:allemand
Publié: Philipps-Universität Marburg 2005
Sujets:
Verdünnt stickstoffhaltige III-V Halbleiter
Electron states and collective excitations in multilayers, quantum wells, mesoscopic, and nanoscale systems (for electron states in nanoscale materials, see 73.22.-f)
Optoelectronic integrated circuits (OEIC)
Halbleiterschicht
Halbleiter
III-V compound semiconductor
Bandstrukturberechnung
Diluted nitride
III-V semiconductors
(GaIn)(NAsP)
Heterostruktur
Materialentwicklung
Halbleiter / Mischkristall
Drei-Fünf-Halbleiter
Optical properties of bulk materials and thin films (for optical properties related to materials treatment, see 81.40.Tv; for optical materials, see 42.70-a; for optical properties of superconductors, see 74.25.Gs; for optical properties of rocks and minerals, see 91.60.Mk)
Optoelektronisch integrierte Schaltungen (OEIC)
Physik
Epitaxie
Physics
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1. Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

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