Herstellung von (GaIn)(NAsP)/GaP Mischkristallsystemen und deren Charakterisierung zur Realisierung eines direkten Halbleiters

Herstellung von (GaIn)(NAsP)/GaP Mischkristallsystemen und deren Charakterisierung zur Realisierung eines direkten Halbleiters

Die Realisierung von optoelektronisch integrierten Schaltungen auf Silizium-Substrat würde ein komplett neues Feld der Fabrikationstechnologie eröffnen. Motiviert durch die vielseitigen Anwendungsmöglichkeiten wurde in dieser Arbeit das Ziel verfolgt, ein Materialsystem mittels MOVPE (metal organi...

Disgrifiad llawn

Wedi'i Gadw mewn:
Manylion Llyfryddiaeth
Prif Awdur: Kunert, Bernardette
Awduron Eraill: Stolz, Wolfgang (Dr.) (Cynghorydd traethodau ymchwil)
Fformat: Dissertation
Iaith:Almaeneg
Cyhoeddwyd: Philipps-Universität Marburg 2005
Pynciau:
Verdünnt stickstoffhaltige III-V Halbleiter
Electron states and collective excitations in multilayers, quantum wells, mesoscopic, and nanoscale systems (for electron states in nanoscale materials, see 73.22.-f)
Optoelectronic integrated circuits (OEIC)
Halbleiterschicht
Halbleiter
III-V compound semiconductor
Bandstrukturberechnung
Diluted nitride
III-V semiconductors
(GaIn)(NAsP)
Heterostruktur
Materialentwicklung
Halbleiter / Mischkristall
Drei-Fünf-Halbleiter
Optical properties of bulk materials and thin films (for optical properties related to materials treatment, see 81.40.Tv; for optical materials, see 42.70-a; for optical properties of superconductors, see 74.25.Gs; for optical properties of rocks and minerals, see 91.60.Mk)
Optoelektronisch integrierte Schaltungen (OEIC)
Physik
Epitaxie
Physics
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1. Optimierung Ga(NAsP)-basierender Heterostrukturen auf Si-Substrat für Laseranwendungen

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