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Linear and nonlinear optical excitations in spatially-inhomogeneous semiconductor systems
Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Licht-Materie-Wechselwirkung in raeumlich inhomogenen Halbleiterstrukturen. In den Kapiteln 2, 3 und 4 werden grundlegende Eigenschaften herausgearbeitet, die dadurch entstehen, dass die untersuchten Systeme von dreidimensionaler raeumlicher Homogenitae...
-д хадгалсан:
| Үндсэн зохиолч: | |
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| Бусад зохиолчид: | |
| Формат: | Dissertation |
| Хэл сонгох: | англи |
| Хэвлэсэн: |
Philipps-Universität Marburg
2005
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| Нөхцлүүд: | |
| Онлайн хандалт: | PDF-н бүрэн текст |
| Шошгууд: |
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| Тойм: | Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die
Licht-Materie-Wechselwirkung in raeumlich inhomogenen Halbleiterstrukturen.
In den Kapiteln 2, 3 und 4 werden grundlegende Eigenschaften herausgearbeitet, die
dadurch entstehen, dass die untersuchten Systeme von dreidimensionaler
raeumlicher Homogenitaet abweichen. Darunter ist zu verstehen, dass
sowohl das (anregende) Lichtfeld inhomogen verteilt
(Kap 2 und 3) als auch die intrinsischen
Materialeigenschaften des Halbleiters raeumlich strukturiert sein
koennen (Kap. 2 und 4).
In Kapitel 2 wird eine Theorie entwickelt, die es
ermoeglicht, Halbleiterstrukturen zu beschreiben, die sich in der
Naehe eines photonischen Kristalls befinden.
Lineare und nichtlineare optische Eigenschaften von verschiedenen
Silizium-Halbleiteroberflaechen werden in Kapitel 4
behandelt. |
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| Биет тодорхойлолт: | 120 Seiten |
| DOI: | 10.17192/z2005.0123 |