Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Das Themengebiet der Arbeit war die Herstellung und Untersuchung von Halbleiterheterostrukturen und Laserbauelementen auf der Basis des neuartigen Materialsystems (GaIn)(NAs). Die Proben wurden mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Verwendung der Quellen Tertiärbuthylarsin (TBAs)...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Nau, Siegfried
מחברים אחרים: Stolz, Wolfgang (Dr. habil) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
פורמט: Dissertation
שפה:גרמנית
יצא לאור: Philipps-Universität Marburg 2004
נושאים:
inhomogene Verspannung
Laserdiode
VCSEL-Laser
(GaIn)(NAs)
Metastabilität
Gallium Indium Arsenide Nitride
Drei-Fünf-Halbleiter
UDMHy
Inhomogeneous strain
Lithographie <Halble
innere Grenzflächen
Epitaxie
Interior interfaces
Physik
Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
Gallium Indium Arsenid Nitrid
Physics
גישה מקוונת:PDF-Volltext
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!
צריך להיות מחובר מראש

פריטים דומים