Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Das Themengebiet der Arbeit war die Herstellung und Untersuchung von Halbleiterheterostrukturen und Laserbauelementen auf der Basis des neuartigen Materialsystems (GaIn)(NAs). Die Proben wurden mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Verwendung der Quellen Tertiärbuthylarsin (TBAs)...

Olles dieđut

Furkejuvvon:
Bibliográfalaš dieđut
Váldodahkki: Nau, Siegfried
Eará dahkkit: Stolz, Wolfgang (Dr. habil) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Materiálatiipa: Dissertation
Giella:duiskkagiella
Almmustuhtton: Philipps-Universität Marburg 2004
Fáttát:
inhomogene Verspannung
Laserdiode
VCSEL-Laser
(GaIn)(NAs)
Metastabilität
Gallium Indium Arsenide Nitride
Drei-Fünf-Halbleiter
UDMHy
Inhomogeneous strain
Lithographie <Halble
innere Grenzflächen
Epitaxie
Interior interfaces
Physik
Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
Gallium Indium Arsenid Nitrid
Physics
Liŋkkat:PDF-ollesdeaksta
Fáddágilkorat: Lasit fáddágilkoriid
Eai fáddágilkorat, Lasit vuosttaš fáddágilkora!

Geahča maid