Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Das Themengebiet der Arbeit war die Herstellung und Untersuchung von Halbleiterheterostrukturen und Laserbauelementen auf der Basis des neuartigen Materialsystems (GaIn)(NAs). Die Proben wurden mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Verwendung der Quellen Tertiärbuthylarsin (TBAs)...

Ful tanımlama

Kaydedildi:
Detaylı Bibliyografya
Yazar: Nau, Siegfried
Diğer Yazarlar: Stolz, Wolfgang (Dr. habil) (Tez danışmanı)
Materyal Türü: Dissertation
Dil:Almanca
Baskı/Yayın Bilgisi: Philipps-Universität Marburg 2004
Konular:
inhomogene Verspannung
Laserdiode
VCSEL-Laser
(GaIn)(NAs)
Metastabilität
Gallium Indium Arsenide Nitride
Drei-Fünf-Halbleiter
UDMHy
Inhomogeneous strain
Lithographie <Halble
innere Grenzflächen
Epitaxie
Interior interfaces
Physik
Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
Gallium Indium Arsenid Nitrid
Physics
Online Erişim:PDF Tam Metin
Etiketler: Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!

Internet

PDF Tam Metin

Detaylı Erişim Bilgileri
Yer Numarası: urn:nbn:de:hebis:04-z2005-00841
Yayın Tarihi: 2005-04-07
Datum der Annahme: 2004-06-15
Downloads: 73 (2024), 131 (2023), 180 (2022), 246 (2021), 203 (2020), 320 (2019), 178 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Erişim Adresi URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2005/0084
https://doi.org/10.17192/z2005.0084

Benzer Materyaller