Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Das Themengebiet der Arbeit war die Herstellung und Untersuchung von Halbleiterheterostrukturen und Laserbauelementen auf der Basis des neuartigen Materialsystems (GaIn)(NAs). Die Proben wurden mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Verwendung der Quellen Tertiärbuthylarsin (TBAs)...

Whakaahuatanga katoa

I tiakina i:
Ngā taipitopito rārangi puna kōrero
Kaituhi matua: Nau, Siegfried
Ētahi atu kaituhi: Stolz, Wolfgang (Dr. habil) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Hōputu: Dissertation
Reo:Tiamana
I whakaputaina: Philipps-Universität Marburg 2004
Ngā marau:
inhomogene Verspannung
Laserdiode
VCSEL-Laser
(GaIn)(NAs)
Metastabilität
Gallium Indium Arsenide Nitride
Drei-Fünf-Halbleiter
UDMHy
Inhomogeneous strain
Lithographie <Halble
innere Grenzflächen
Epitaxie
Interior interfaces
Physik
Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
Gallium Indium Arsenid Nitrid
Physics
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Tags: Tāpirihia he Tūtohu
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Ipurangi

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Ngā taipitopito puringa mai i
Tau karanga: urn:nbn:de:hebis:04-z2005-00841
Rā whakaputa: 2005-04-07
Datum der Annahme: 2004-06-15
Downloads: 79 (2024), 131 (2023), 180 (2022), 246 (2021), 203 (2020), 320 (2019), 178 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL Uru: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2005/0084
https://doi.org/10.17192/z2005.0084

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