Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden

Das Themengebiet der Arbeit war die Herstellung und Untersuchung von Halbleiterheterostrukturen und Laserbauelementen auf der Basis des neuartigen Materialsystems (GaIn)(NAs). Die Proben wurden mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Verwendung der Quellen Tertiärbuthylarsin (TBAs)...

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Autore principale: Nau, Siegfried
Altri autori: Stolz, Wolfgang (Dr. habil) (Relatore della tesi)
Natura: Dissertation
Lingua:tedesco
Pubblicazione: Philipps-Universität Marburg 2004
Soggetti:
inhomogene Verspannung
Laserdiode
VCSEL-Laser
(GaIn)(NAs)
Metastabilität
Gallium Indium Arsenide Nitride
Drei-Fünf-Halbleiter
UDMHy
Inhomogeneous strain
Lithographie <Halble
innere Grenzflächen
Epitaxie
Interior interfaces
Physik
Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall
Gallium Indium Arsenid Nitrid
Physics
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Collocazione: urn:nbn:de:hebis:04-z2005-00841
Data di pubblicazione: 2005-04-07
Datum der Annahme: 2004-06-15
Downloads: 68 (2024), 131 (2023), 180 (2022), 246 (2021), 203 (2020), 320 (2019), 178 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL di accesso: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2005/0084
https://doi.org/10.17192/z2005.0084

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