Publikationsserver
Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden
Das Themengebiet der Arbeit war die Herstellung und Untersuchung von Halbleiterheterostrukturen und Laserbauelementen auf der Basis des neuartigen Materialsystems (GaIn)(NAs). Die Proben wurden mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Verwendung der Quellen Tertiärbuthylarsin (TBAs)...
में बचाया:
| मुख्य लेखक: | |
|---|---|
| अन्य लेखक: | |
| स्वरूप: | Dissertation |
| भाषा: | जर्मन |
| प्रकाशित: |
Philipps-Universität Marburg
2004
|
| विषय: | |
| ऑनलाइन पहुंच: | पीडीएफ पूर्ण पाठ |
| टैग: |
टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!
|
इंटरनेट
पीडीएफ पूर्ण पाठ| बोधानक: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2005-00841 |
|---|---|
| प्रकाशन तिथि: |
2005-04-07 |
| Datum der Annahme: |
2004-06-15 |
| Downloads: |
68 (2024), 131 (2023), 180 (2022), 246 (2021), 203 (2020), 320 (2019), 178 (2018) |
| Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
| यूआरएल में प्रवेश करें: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2005/0084 https://doi.org/10.17192/z2005.0084 |