Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)(NAs)-Laserdioden
Das Themengebiet der Arbeit war die Herstellung und Untersuchung von Halbleiterheterostrukturen und Laserbauelementen auf der Basis des neuartigen Materialsystems (GaIn)(NAs). Die Proben wurden mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) unter Verwendung der Quellen Tertiärbuthylarsin (TBAs)...
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Format: | Dissertation |
Langue: | allemand |
Publié: |
Philipps-Universität Marburg
2004
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Sujets: | |
Accès en ligne: | Texte intégral en PDF |
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Internet
Texte intégral en PDFCote: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2005-00841 |
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Date de publication: |
2005-04-07 |
Datum der Annahme: |
2004-06-15 |
Downloads: |
79 (2024), 131 (2023), 180 (2022), 246 (2021), 203 (2020), 320 (2019), 178 (2018) |
Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
URL d'accès: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2005/0084 https://doi.org/10.17192/z2005.0084 |