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Epitaxie metastabiler III-NAs/NP Mischkristallsysteme und Untersuchung der optischen und strukturellen Eigenschaften
Die Beschäftigung mit der neuartigen Klasse stickstoffhaltiger, metastabiler Materialsysteme eröffnet ein weites Feld, sowohl für die grundlegende Forschung, als auch für die industrielle Anwendung. Das Materialsystem (GaIn)(NAs) birgt aufgrund des starken Bowings der Bandlückenenergie als Fun...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Dissertation |
| اللغة: | German |
| منشور في: |
Philipps-Universität Marburg
2002
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| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | PDF النص الكامل |
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| الملخص: | Die Beschäftigung mit der neuartigen Klasse stickstoffhaltiger, metastabiler Materialsysteme
eröffnet ein weites Feld, sowohl für die grundlegende Forschung, als
auch für die industrielle Anwendung.
Das Materialsystem (GaIn)(NAs) birgt aufgrund des starken Bowings der
Bandlückenenergie als Funktion der Stickstoffkonzentration immense Vorteile
im Einsatz als aktives Medium in langwelligen, oberflächenemitierenden Lasern.
Dieses ermöglicht auch die Realisation höchsteffektiver Mehrschicht-Solarzellenstrukturen
mit theoretischen Rekord-Wirkungsgraden. Darüberhinaus verspricht
man sich niedrige Einsatzspannungen bei HBTs, verwendet man (GaIn)(NAs)
als Materialsystem für die Basis derartiger Bauelemente. Von grundlegendem
Interesse ist das Einbauverhalten von Stickstoff und die damit korrelierten Effekte
auf struktureller und elektronischer Seite.
Die eingehenden Untersuchungen GaAs-basierender Strukturen wurden hier
vertieft und auf GaP-basierende Strukturen erweitert und die Eigenschaften
verglichen. Bei der Untersuchung GaP basierender Strukturen liegt ein weiterer
Reiz in der Bandstrukturmodifikation. Da GaP ein indirekter Halbleiter ist,
war nun die Motivation, durch geschickte Heteroepitaxie Filme mit direkter Bandlücke zu erzeugen, was ein immenses Anwendungpotential aufschließen würde.
Hierbei sei an die Integration von Optoelektronik und Silizium basierender Elektronik
gedacht. Im Rahmen dieser Arbeit werden einige fundamentale Aspekte
von III/(NV)-Heterostrukturen vorgestellt, im Hinblick auf obige Motivationen
diskutiert und in ersten Experimenten verifiziert. |
|---|---|
| DOI: | 10.17192/z2005.0067 |