Segregation at interfaces in (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As- quantum well heterostructures explored by atomic resolution STEM
Surface segregation and interaction effects of In and Sb in (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As- “W”-type quantum well heterostructures (“W”-QWHs) are investigated by high angle annular dark field scanning transmission electron microscopy with atomic resolution. “W”-QWHs are promising candidates for type-II...
Zapisane w:
Główni autorzy: | , , , , , , , |
---|---|
Format: | Artykuł |
Język: | angielski |
Wydane: |
Philipps-Universität Marburg
2019
|
Hasła przedmiotowe: | |
Dostęp online: | PDF pełnotekstowe |
Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|
No references were found for this record.