Segregation at interfaces in (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As- quantum well heterostructures explored by atomic resolution STEM

Surface segregation and interaction effects of In and Sb in (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As- “W”-type quantum well heterostructures (“W”-QWHs) are investigated by high angle annular dark field scanning transmission electron microscopy with atomic resolution. “W”-QWHs are promising candidates for type-II...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Kükelhan, Pirmin, Firoozabadi, Saleh, Beyer, Andreas, Duschek, Lennart, Fuchs, Christian, Oelerich, Jan Oliver, Stolz, Wolfgang, Volz, Kerstin
Format: Artykuł
Język:angielski
Wydane: Philipps-Universität Marburg 2019
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:PDF pełnotekstowe
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!