Spektroskopie an Ge-basierten Halbleiterstrukturen auf Silizium

Spektroskopie an Ge-basierten Halbleiterstrukturen auf Silizium

Anrege-Abfrage-Spektroskopie an Germanium Halbleiternanostrukturen auf Silizium. Es konnte ein gigantischer AC Stark Effekt in Germanium beobachtet werden, der nach 150fs abgeklungen ist. Außerdem wurde die Abkühlung des Lochsystems auf Gittertemperatur analysiert. Die Abkühlung erfolgt im Vergleich...

Szczegółowa specyfikacja

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Opis bibliograficzny
1. autor: Kolata, Kolja
Format: Masterarbeit
Język:German
Wydane: Philipps-Universität Marburg 2010
Hasła przedmiotowe:
Hole-Relaxation
Siliziumphotonik
Optischer Gewin
Mehrphotonen-Spektroskopie
AC Stark Effect
Physik
Nichtlineare Spektroskopie
Siliconphotonics
Germanium
Infrarotspektroskopie
Optische Spektroskopie
Anrege-Abfrage-Spektroskopie
Spektroskopie
Optical Gain
Physics
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Opis
Streszczenie:Anrege-Abfrage-Spektroskopie an Germanium Halbleiternanostrukturen auf Silizium. Es konnte ein gigantischer AC Stark Effekt in Germanium beobachtet werden, der nach 150fs abgeklungen ist. Außerdem wurde die Abkühlung des Lochsystems auf Gittertemperatur analysiert. Die Abkühlung erfolgt im Vergleich zu direkten Halbleitern um eine Größenordnung langsamer. Abschließend konnte optische Verstärkung in dotiertem Germanium nachgewiesen werden.
DOI:10.17192/ed.2011.0001

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