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Titel:Optical and Transport Properties of Disordered Materials by Computer Simulation
Autor:Valkovskii, Vitalii
Weitere Beteiligte: Baranovskii, Sergei (Prof. Dr.)
Veröffentlicht:2018
URI:https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2018/0494
DOI: https://doi.org/10.17192/z2018.0494
URN: urn:nbn:de:hebis:04-z2018-04946
DDC: Physik
Publikationsdatum:2018-10-22
Lizenz:https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/

Dokument

Schlagwörter:
Semiconductors, Optik, charge transport, ungeordnete Materialien, disordered materials, Ladungstransport, optics

Summary:
This work is a summary of a study on optical and transport properties of disordered materials. Since disorder plays an important role in various optoelectronic phenomena, a suitable theoretical description of clutter effects is crucial for the development of electronic devices such as transistors, memory, light emitting diodes, and solar cells. This work addresses some of the problems associated with the recombination of excitons in disordered materials. Furthermore, the mechanism of release of carriers from traps and the concept of effective temperature for hopping transport, with special emphasis on the Kinetic Monte Carlo Method (KMC), are considered.

Zusammenfassung:
Diese Arbeit ist eine Zusammenfassung einer Studie zu optischen und Transporteigenschaften ungeordneter Materialien. Da Unordnung eine wichtige Rolle in verschiedenen optoelektronischen Phnomenen spielt, ist eine geeignete theoretische Beschreibung von Unordnungseffekten von entscheidender Bedeutung fr die Entwicklung von elektronischen Bauelementen, wie Transistoren, Speichern, Leuchtdioden und Solarzellen. Diese Arbeit behandelt einige der Probleme, die mit der Rekombination von Exzitonen in ungeordneten Materialien zusammenhngen. Ferner wird der Mechanismus der Befreiung von Tragern aus Fallen und das Konzept der effektiven Temperatur fr den HoppingTransport, mit besonderem Schwerpunkt auf der Kinetic Monte Carlo Methode (KMC) betrachtet.


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