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Strukturuntersuchungen amorpher Phasenwechselmaterialien Ge50-xCuxTe50 mittels Streuung und Absorption von Röntgenstrahlung
Die amorphe Struktur der Phasenwechselmaterialien (PCM) GCT-9110 (Ge45Cu5Te50), GCT-7310 (Ge35Cu15Te50) und GCT-112 (Ge25Cu25Te50) auf der pseudo-binären Linie zwischen GeTe und CuTe wurden mittels anomaler Röntgenstreuung (AXS) und Röntgen-Absorptions\-feinstruktur (XAFS) untersucht. Mit Hilfe v...
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| 第一著者: | |
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| その他の著者: | |
| フォーマット: | Dissertation |
| 言語: | ドイツ語 |
| 出版事項: |
Philipps-Universität Marburg
2023
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| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | PDFフルテキスト |
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| 要約: | Die amorphe Struktur der Phasenwechselmaterialien (PCM) GCT-9110 (Ge45Cu5Te50), GCT-7310 (Ge35Cu15Te50) und GCT-112 (Ge25Cu25Te50) auf der pseudo-binären Linie zwischen GeTe und CuTe wurden mittels anomaler Röntgenstreuung (AXS) und Röntgen-Absorptions\-feinstruktur (XAFS) untersucht.
Mit Hilfe von Simulationen der Nahkanten\-absorption (XANES) und experimentellen Daten als Randbedingungen wurden mittels reverser Monte-Carlo Simulationen (RMC) dreidimensionale Modelle dieser Zusammensetzungen erzeugt. Bei niedrigen Cu-Konzentrationen, GCT-9110 und GCT-7310, bilden sich Cu-Cluster, die in die amorphe Matrix eingebettet sind und mit dieser über Cu-Te Bindungen verbunden sind. Dadurch ergibt sich eine mit der Cu-Konzentration steigende relative Te-Konzentration in der die Cluster umgebenden amorphen Matrix, wodurch die in diesem Konzentrationsbereich gefundene steigende Kristallisationstemperatur erklärt werden kann.
Die amorphe Matrix besitzt eine bimodale Topologie, es bilden sich tetraedrische und defekt-oktaedrische Bindungseinheiten. Dadurch ergibt sich eine schwach ausgeprägte Ordnung auf höheren Längenskalen. Mit steigender Cu-Konzentration nimmt der Anteil der defekt-oktaedrischen Einheiten ab. Im Gegensatz dazu ist GCT-112 durch ein Ge-Cu-Te Netzwerk charakterisiert, dass sich ausschließlich über tetraedrische Strukturen beschreiben lässt und eine deutlich langreichweitigere Ordnung aufweist als GCT-9110 und GCT-7310. |
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| 物理的記述: | 186 Seiten |
| DOI: | 10.17192/z2023.0106 |