Structural characterization of antimonide-based metamorphic buffer layers on (001) silicon substrate

The aim of the present study was the growth of antimony-based buffer layers with the lattice constant of InP on a GaP/Si pseudosubstrate by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) and their structural investigation by atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), and (scanning) transmiss...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Ott, Andrea
مؤلفون آخرون: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (مرشد الأطروحة)
التنسيق: Dissertation
اللغة:الإنجليزية
منشور في: Philipps-Universität Marburg 2017
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:PDF النص الكامل
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!