Structural characterization of antimonide-based metamorphic buffer layers on (001) silicon substrate

Structural characterization of antimonide-based metamorphic buffer layers on (001) silicon substrate

The aim of the present study was the growth of antimony-based buffer layers with the lattice constant of InP on a GaP/Si pseudosubstrate by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) and their structural investigation by atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), and (scanning) transmiss...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
1. autor: Ott, Andrea
Kolejni autorzy: Volz, Kerstin (Prof. Dr.) (Promotor doktoranta)
Format: Dissertation
Język:angielski
Wydane: Philipps-Universität Marburg 2017
Hasła przedmiotowe:
Verspannung
Halbleiter
Elektronenmikroskopie
Metamorphes Wachstum
Physik,
GaSb
Lomer dislocations,strain
electron microscopy
metamorphic growth
Ga(AsSb)
Lomer Versetzungen
semiconductor
Physik
Ga(PSb)
Physics
Dostęp online:PDF pełnotekstowe
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!

Internet

PDF pełnotekstowe

Szczegóły zapisu
Sygnatura: urn:nbn:de:hebis:04-z2017-01160
Data wydania: 2017-03-15
Datum der Annahme: 2017-02-13
Downloads: 82 (2024), 82 (2023), 50 (2022), 22 (2021), 4 (2020), 16 (2019), 15 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
URL dostępu: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2017/0116
https://doi.org/10.17192/z2017.0116

Podobne zapisy