Structural characterization of antimonide-based metamorphic buffer layers on (001) silicon substrate
The aim of the present study was the growth of antimony-based buffer layers with the lattice constant of InP on a GaP/Si pseudosubstrate by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) and their structural investigation by atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), and (scanning) transmiss...
Gespeichert in:
1. Verfasser: | |
---|---|
Beteiligte: | |
Format: | Dissertation |
Sprache: | Englisch |
Veröffentlicht: |
Philipps-Universität Marburg
2017
|
Schlagworte: | |
Online Zugang: | PDF-Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Online
PDF-VolltextSignatur: |
urn:nbn:de:hebis:04-z2017-01160 |
---|---|
Publikationsdatum: |
2017-03-15 |
Datum der Annahme: |
2017-02-13 |
Downloads: |
64 (2024), 82 (2023), 50 (2022), 22 (2021), 4 (2020), 16 (2019), 15 (2018) |
Lizenz: |
https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/ |
Zugangs-URL: |
https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2017/0116 https://doi.org/10.17192/z2017.0116 |