Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

In der heutigen Displayindustrie werden Transistoren verbaut, deren dielektrische Schichten über energieaufwendige Prozesse wie CVD oder thermische Oxidation hergestellt werden. Alternativ zu den energieaufwendigen Prozessen lassen sich dielektrische Schichten auch über wirtschaftlichere Lösungsproz...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Автор: Pomberg, Michael
Інші автори: Sundermeyer, Jörg (Professor Dr.) (Керівник дипломної роботи)
Формат: Dissertation
Мова:Німецька
Опубліковано: Philipps-Universität Marburg 2016
Предмети:
Silazane
Transistor
Dielektrikum
silazane,
Ammonolyse
Chemie
dielectric
Thin-film
Leckstrom
Bis(dichlorphenylsilyl)amin
Chemistry & allied sciences
Онлайн доступ:PDF-повний текст
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Інтернет

PDF-повний текст

Детальна інфо про примірники із
Шифр: urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04786
Дата публікації: 2016-08-24
Datum der Annahme: 2016-07-21
Downloads: 61 (2024), 96 (2023), 232 (2022), 134 (2021), 98 (2020), 102 (2019), 38 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Доступ через URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0478
https://doi.org/10.17192/z2016.0478

Схожі ресурси