Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

In der heutigen Displayindustrie werden Transistoren verbaut, deren dielektrische Schichten über energieaufwendige Prozesse wie CVD oder thermische Oxidation hergestellt werden. Alternativ zu den energieaufwendigen Prozessen lassen sich dielektrische Schichten auch über wirtschaftlichere Lösungsproz...

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Kaydedildi:
Detaylı Bibliyografya
Yazar: Pomberg, Michael
Diğer Yazarlar: Sundermeyer, Jörg (Professor Dr.) (Tez danışmanı)
Materyal Türü: Dissertation
Dil:Almanca
Baskı/Yayın Bilgisi: Philipps-Universität Marburg 2016
Konular:
Silazane
Transistor
Dielektrikum
silazane,
Ammonolyse
Chemie
dielectric
Thin-film
Leckstrom
Bis(dichlorphenylsilyl)amin
Chemistry & allied sciences
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Detaylı Erişim Bilgileri
Yer Numarası: urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04786
Yayın Tarihi: 2016-08-24
Datum der Annahme: 2016-07-21
Downloads: 61 (2024), 96 (2023), 232 (2022), 134 (2021), 98 (2020), 102 (2019), 38 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Erişim Adresi URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0478
https://doi.org/10.17192/z2016.0478

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