Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

In der heutigen Displayindustrie werden Transistoren verbaut, deren dielektrische Schichten über energieaufwendige Prozesse wie CVD oder thermische Oxidation hergestellt werden. Alternativ zu den energieaufwendigen Prozessen lassen sich dielektrische Schichten auch über wirtschaftlichere Lösungsproz...

Popoln opis

Shranjeno v:
Bibliografske podrobnosti
Glavni avtor: Pomberg, Michael
Drugi avtorji: Sundermeyer, Jörg (Professor Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Format: Dissertation
Jezik:nemščina
Izdano: Philipps-Universität Marburg 2016
Teme:
Silazane
Transistor
Dielektrikum
silazane,
Ammonolyse
Chemie
dielectric
Thin-film
Leckstrom
Bis(dichlorphenylsilyl)amin
Chemistry & allied sciences
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Podrobnosti zaloge
Signatura: urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04786
Publikationsdatum: 2016-08-24
Datum der Annahme: 2016-07-21
Downloads: 59 (2024), 96 (2023), 232 (2022), 134 (2021), 98 (2020), 102 (2019), 38 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Zugangs-URL: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0478
https://doi.org/10.17192/z2016.0478

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