Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

Lösungsprozessierbare Silazanpräkursoren für Gate-Dielektrika

In der heutigen Displayindustrie werden Transistoren verbaut, deren dielektrische Schichten über energieaufwendige Prozesse wie CVD oder thermische Oxidation hergestellt werden. Alternativ zu den energieaufwendigen Prozessen lassen sich dielektrische Schichten auch über wirtschaftlichere Lösungsproz...

Olles dieđut

Furkejuvvon:
Bibliográfalaš dieđut
Váldodahkki: Pomberg, Michael
Eará dahkkit: Sundermeyer, Jörg (Professor Dr.) (BetreuerIn (Doktorarbeit))
Materiálatiipa: Dissertation
Giella:duiskkagiella
Almmustuhtton: Philipps-Universität Marburg 2016
Fáttát:
Silazane
Transistor
Dielektrikum
silazane,
Ammonolyse
Chemie
dielectric
Thin-film
Leckstrom
Bis(dichlorphenylsilyl)amin
Chemistry & allied sciences
Liŋkkat:PDF-ollesdeaksta
Fáddágilkorat: Lasit fáddágilkoriid
Eai fáddágilkorat, Lasit vuosttaš fáddágilkora!

Interneahtta

PDF-ollesdeaksta

oažžasuvvan:
Hildobáiki: urn:nbn:de:hebis:04-z2016-04786
Almmustuhttinbeaivi: 2016-08-24
Datum der Annahme: 2016-07-21
Downloads: 59 (2024), 96 (2023), 232 (2022), 134 (2021), 98 (2020), 102 (2019), 38 (2018)
Lizenz: https://rightsstatements.org/vocab/InC-NC/1.0/
Liŋka materiálii: https://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2016/0478
https://doi.org/10.17192/z2016.0478

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